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3DA857 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于民用电台及其它电子设备中功率放大、振荡等。 外 形 图:HF-1型 3DA857 型晶体管…
发布:2009-09-15
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3DA811 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于470MHz系列低压民用电台功率放大。 外 形 图:H-2F型 3DA811 型晶体管参数序…
发布:2009-09-15
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3DA833 型晶体管结构名称:NPN硅外延品平面VHF线性功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于VHF频段差转机作线性功率 ,也可用于其他电子设备中作400MHz 功率…
发布:2009-09-15
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3DA840 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:供88-108MHz调频发射机中作功率放大用。 外形图: H-2E 型 3DA840 型晶体管…
发布:2009-09-14
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1ST047 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面线性功率晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图:Q-2E型 1ST047 型晶体管参数序号参数单…
发布:2009-09-14
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1ST025 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图: Q-2E 型 1ST025 型晶体管参数序号…
发布:2009-09-14
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1ST024 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:1.6~30MHz单边带电台管。 外 形 图:Q-2D型 1ST024 型晶体管参数序号参数单位…
发布:2009-09-14
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3DA198 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途: 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大,通过功率合成的…
发布:2009-09-14
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1ST019 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面高频管壳额定型三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:在370~430MHZ相控阵雷达等军、民用电子设备中作宽带功率放大。 外 形 图…
发布:2009-09-14
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3DA39 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波放大、振荡及其它电子设备中。 外形图:H-2E型 3DA39 型晶体管参数序号…
发布:2009-09-14
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MRF427 型晶体管结构名称:高频放大管壳额定NPN型硅外延平面晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于自适应跳频单边电台末前级作功率放大,30MHz下输出25W,也可…
发布:2009-09-14
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MRF326 型晶体管结构名称:NPN硅线性功率晶体管 主要用途:40W,225-400MHz 外 形 图 :Q-2F 型 MRF326 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃11…
发布:2009-09-14
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MRF325 型晶体管结构名称:NPN硅线性功率晶体管 主要用途:30W,225-400MHz 外 形 图 :Q-2F 型 MRF325 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃82…
发布:2009-09-14
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BLW78 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图 :Q-2E 型 BLW78 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1602TjM ℃ 2003ICMA 254ICEOmAVCE=35V≤55V(BR)C…
发布:2009-09-14
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BLW76 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图 :Q-2E 型 BLW76 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1402TjM ℃ 2003ICMA 204ICEOmAVCE=35V≤105V(BR)…
发布:2009-09-14
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