|
3DA199 型晶体管结构名称:NPN硅超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:超短波,短波单边带电台功率放大。 外形图:H-2E型 3DA199 型晶体管参数序号参数单…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA35 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率振荡三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波振荡。 外 形 图:Q—1 3DA35 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA808 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:微波放大及振荡。 外形图:Q-1A型 3DA808 型晶体管参数序号参数单位测试条件规…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA807 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:微波通讯功率放大。 外形图:Q-1型 3DA807 型晶体管参数序号参数单位测试条件规…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA806 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:微波通讯中作放大倍频用。 外形图:Q-1型 3DA806 型晶体管参数序号参数单位测试…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA108 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波放大、振荡、倍频及其它电子设备中。 外 形 图:H-2E型 3DA108 型晶体管…
发布:2009-09-14
查看详细
|
3DA38 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波放大、振荡及其它电子设备中。 外形图:H-2E型 3DA38 型晶体管参数序号…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF453 型晶体管结构名称:NPN型硅射频功率晶体管 主要用途:30MHz,60W(PEP) 外 形 图 :Q-2E 型 MRF453 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1752IC…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF448 型晶体管结构名称:NPN型硅射频功率晶体管 主要用途:30MHz,250W(PEP) 外 形 图 :Q-2E 型 MRF448 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃2902I…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF429 型晶体管结构名称:NPN型硅射频功率晶体管 主要用途:30MHz,150W(PEP) 外 形 图 :Q-2E 型 MRF429 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃2332I…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF428 型晶体管结构名称:NPN型硅射频功率晶体管 主要用途:30MHz,150W(PEP) 外 形 图 :Q-2E 型 MRF428 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃2332I…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF323 型晶体管结构名称:NPN硅外延品平面线性功率晶体管 主要用途:20W-400MHz 外 形 图 :HF-1 型 MRF323 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotWTa=25…
发布:2009-09-14
查看详细
|
MRF314 型晶体管结构名称:NPN型硅射频功率晶体管 外 形 图 :Q-2D 型 MRF314 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃822ICA 3.43TjM ℃ 1504ICMA …
发布:2009-09-14
查看详细
|
BLW97 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图 :Q-2E 型 BLW97 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃2702TjM ℃ 2003ICMA 504ICEOmAVCE=33V≤205V(BR)…
发布:2009-09-14
查看详细
|
BLV21 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图 :Q-2D 型 BLV21 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃362TjM ℃ 2003ICMA 54ICEOmAVCE=18V≤45V(BR)CBO…
发布:2009-09-14
查看详细
|