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2N4150 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图:B-4 型 2N4150 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃1.52ICA 103TjM ℃ 1754ICBOμAVCB=80V≤15BV CB…
发布:2009-09-09
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2N3924 型晶体管结构名称:NPN 外 形 图:B-4 型 2N3924 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃72ICA 1.53TjM ℃ 2004ICBOμAVCE=15V≤1005BV CBO…
发布:2009-09-09
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3DA810 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于175MHz低压民用电台功率放大及其他电子设备中。 外形图:H-2F型 3DA810 型…
发布:2009-08-29
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4S8 型晶体管结构名称:NPN硅超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅲ类 主要用途:用于74系列、80系列低压民用电台末级功放。 外形图:I—3型 4S8 型晶体管参数序号参数单…
发布:2009-08-29
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3DA190 型晶体管结构名称:NPN硅超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于74系列、80系列低压民用电台末级功放。 外形图:H-2E型 3DA190 型晶体管参数序号参数单…
发布:2009-08-29
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3DG90 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图:Q—1型 3DG90 型晶体管参数序号…
发布:2009-08-29
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3DA23 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频功率放大、振荡及其它电子设备中。 外形图:Q—2型 3DA23 型晶体…
发布:2009-08-29
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1ST021 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于民用电台及其它电子设备中功率放大、振荡等。 外 形 图:HF-1型 1ST021 型晶体管参…
发布:2009-08-29
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3DA36 型晶体管结构名称:NPN硅超高频大功率晶体管,采用多晶发射区内匹配电容,陶瓷金属全密封结构。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:雷达广播功率放大及其它电子设备…
发布:2009-08-29
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3DA106 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于功率放大及振荡。 外形图:H-2E型 3DA106 型晶体管参数序号参数单位测试条…
发布:2009-08-29
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3DA21D 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频功率放大振荡器及其它电子设备中。 外 形 图:G—1型 3DA21D 型晶…
发布:2009-08-29
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3DA105 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频功率放大、倍频、振荡等。 外形图:H-2E型 3DA105 型晶体管参数…
发布:2009-08-29
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3DA32 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频前级推动,功率放大及其它电子设备中。 外形图:G-1A型 3DA32 型…
发布:2009-08-29
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3DA814 型晶体管结构名称:多晶发射区结构带有发射极镇流电阻的NPN硅平面外延超高频功率晶体管。 等级标记:Ⅲ类 主要用途:用于80系列低压民用电台末级功放。 3DA…
发布:2009-08-29
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1ST036 型晶体管结构名称:NPN硅外延品平面 线性功率晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外形图:B-4型 1ST036 型晶体管参数序号参数…
发布:2009-08-29
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