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![MRF327 型晶体管]()
MRF327 型晶体管结构名称：NPN硅线性功率晶体管 主要用途：80W,100-500MHz 外 形 图 ：Q-2F 型 MRF327 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃25…
发布：2009-09-14
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![BLW86 型晶体管]()
BLW86 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2D 型 BLW86 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1052TjM ℃ 2003ICMA 224ICEOmAVCE=18V≤255V(BR)…
发布：2009-09-14
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![BLW85 型晶体管]()
BLW85 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2D 型 BLW85 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1052TjM ℃ 2003ICMA 224ICEOmAVCE=18V≤255V(BR)…
发布：2009-09-14
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![BLW84 型晶体管]()
BLW84 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2D 型 BLW84 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃762TjM ℃ 2003ICMA 94ICEOmAVCE=36V≤45V(BR)CB…
发布：2009-09-14
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![BLW83 型晶体管]()
BLW83 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2D 型 BLW83 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃502ICA 33TjM ℃ 1754ICEOmAVCE=36V≤55V(BR)CBO…
发布：2009-09-14
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![BFQ43 型晶体管]()
BFQ43 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：B-4 型 BFQ43 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃122ICA 3.753TjM ℃ 2004ICEOmAVCE=18V≤25BV CBOV…
发布：2009-09-09
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![BFQ42 型晶体管]()
BFQ42 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图：B-4A 型 BFQ42 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃7.22ICA 1.83TjM ℃ 2004ICEOmAVCE=18V≤15BV CBO…
发布：2009-09-09
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![2N5031 型晶体管]()
2N5031 型晶体管结构名称：NPN 硅微波低功率晶体管。 外 形 图：B-2 型 2N5031 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMmW 2002ICmA 203ICBOnAVCB=6V≤1…
发布：2009-09-09
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![1ST010 型晶体管]()
1ST010 型晶体管结构名称：NPN硅外延品平面线性功率晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图：B-4B 型 1ST010 型晶体管参数序号参数…
发布：2009-08-29
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![1ST009 型晶体管]()
1ST009 型晶体管结构名称：NPN硅外延品平面线性功率晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外形图：TO-92型 1ST009 型晶体管参数序号参…
发布：2009-08-29
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![3DG352 型晶体管]()
3DG352 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于民用电台及其它电子设备中作掁荡功率放大等。 外形图： B-4B 型 3DG352 型晶体管参数序…
发布：2009-08-29
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![3DG351 型晶体管]()
3DG351 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于民用电台及其它电子设备中作掁益信频、功率放大。 外形图： TO-92 型 3DG351 型晶体管参…
发布：2009-08-29
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![3DA47AL 型晶体管]()
3DA47AL 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面微波大功率三极管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于微波放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图：H—2C型 3DA47AL 型晶体管…
发布：2009-08-29
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![3DA56C 型晶体管]()
3DA56C 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面超高频功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于超高频功率放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图：H-2E型 3DA56C 型晶体…
发布：2009-08-29
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![3DA831A,3DA831B 型晶体管]()
3DA831A,3DA831B 型晶体管结构名称：多晶发射区结构带有发射极镇流电阻，内匹配电容，NPN硅平面外延超高频功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：适用于雷达发射…
发布：2009-08-29
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