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![1ST025 型晶体管]()
1ST025 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图： Q-2E 型 1ST025 型晶体管参数序号…
发布：2009-09-14
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![3DA198 型晶体管]()
3DA198 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途： 1.6—30MHz50W单边带通讯设备及其它通讯设备中作功率放大，通过功率合成的…
发布：2009-09-14
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![1ST019 型晶体管]()
1ST019 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面高频管壳额定型三极管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：在370～430MHZ相控阵雷达等军、民用电子设备中作宽带功率放大。 外 形 图…
发布：2009-09-14
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![MRF427 型晶体管]()
MRF427 型晶体管结构名称：高频放大管壳额定NPN型硅外延平面晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于自适应跳频单边电台末前级作功率放大，30MHz下输出25W，也可…
发布：2009-09-14
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![MRF325 型晶体管]()
MRF325 型晶体管结构名称：NPN硅线性功率晶体管 主要用途：30W,225-400MHz 外 形 图 ：Q-2F 型 MRF325 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃82…
发布：2009-09-14
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![BLW78 型晶体管]()
BLW78 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2E 型 BLW78 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1602TjM ℃ 2003ICMA 254ICEOmAVCE=35V≤55V(BR)C…
发布：2009-09-14
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![BLW76 型晶体管]()
BLW76 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2E 型 BLW76 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃1402TjM ℃ 2003ICMA 204ICEOmAVCE=35V≤105V(BR)…
发布：2009-09-14
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![BLV20 型晶体管]()
BLV20 型晶体管结构名称：NPN 外 形 图 ：Q-2D 型 BLV20 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃152TjM ℃ 1753ICMA 2.54ICEOmAVCE=36V≤15V(BR)CB…
发布：2009-09-14
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![ATtiny12L-4PU 带有1K系统内可编程Flash存储器PDIP-8封装]()
ATtiny12L-4PU 带有1K系统内可编程Flash存储器PDIP-8封装Flash (Kbytes)1EEPROM (Kbytes)0.0625Max I/O Pins6F.max (MHz)8Vcc (V)1.8-5.5Analog ComparatorYes8-bit Timer1Brown Out …
发布：2009-08-22
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![ATmega168-20AU 带有16K系统内可编程Flash存储器TQFP-32封装]()
ATmega168-20AU 带有16K系统内可编程Flash存储器TQFP-32封装Flash (Kbytes)16EEPROM (Kbytes)0.5SRAM (Bytes)1024Max I/O Pins23F.max (MHz)20Vcc (V)1.8-5.510-bit A/D Channels6…
发布：2009-08-20
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![ATmega168V-10PU 带有16K系统内可编程Flash存储器PDIP-28封装]()
ATmega168V-10PU 带有16K系统内可编程Flash存储器PDIP-28封装Flash (Kbytes)16EEPROM (Kbytes)0.5SRAM (Bytes)1024Max I/O Pins23F.max (MHz)20Vcc (V)1.8-5.510-bit A/D Channels…
发布：2009-08-20
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![ATtiny25-20SU 带有2K系统内可编程Flash存储器SOIC 8封装(150mil)]()
ATtiny85 带有8K系统内可编程Flash存储器Flash (Kbytes) 8EEPROM (Kbytes) 0.5SRAM (Bytes) 512Max I/O Pins 6 F.max (MHz) 20 Vcc (V) 1.8-5.5 8-bit Timer 2 PWM (channels) 4 SPI USI TWI USI ISP …
发布：2009-08-18
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![ATtiny25-20PU 带有2K系统内可编程Flash存储器PDIP 8封装]()
ATtiny25-20PU 带有2K系统内可编程Flash存储器PDIP 8封装Flash (Kbytes) 2 EEPROM (Kbytes) 0.125 SRAM (Bytes) 128 Max I/O Pins 6 F.max (MHz) 20 Vcc (V) 1.8-5.5 8-bit Timer 2 PWM (channels) 4 …
发布：2009-08-18
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![AT26DF161A 16Mbit,串行DataFlash存储器]()
AT26DF161A 16Mbit,串行DataFlash存储器Density16MI/O Pins8Interface TypeSPIPage Size (Bytes)256Vcc (V)1.65-1.95Pb-Free Packages MLF (VDFN) 8 SOIC (150mil) 8 SOIC (208mil) 8 For new des…
发布：2009-08-17
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![AT24C01B 1Kbit,2线串行EEPROM存储器]()
AT24C01B 1Kbit,2线串行EEPROM存储器Density1KInterface Type2-WIREOrganization128 x 8Vcc (V)2.5Pb-Free Packages TSSOP 8 SOIC 81Kbit, 2-Wire Bus Automotive Serial EEPROM.1KBEEP…
发布：2009-08-14
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