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国内众多注塑企业目前仍停留在人工换模或半自动换模阶段,这类传统换模方式一方面耗时耗力,另一方面极易出现误操作。注塑加工过程中如何降低人工成本和时间…
发布:2016-09-28
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研华于2014年新推出的新一代多功能&PCIE数据采集卡1800系列,不仅得到了总线上的提升,更重要的是性能的提升!PCIE-1800系列突破了技术上的难题,打破了…
发布:2014-08-22
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GPRS-RTU-1080 8路16bit差分隔离模拟量输入,2路12bit隔离模拟量输出,8路隔离数字量输入(干接点/湿接点共阳极);8路继电器输出(30VDC、2A),数据终端支持永远在线…
发布:2011-10-08
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2N3583 型晶体管结构名称:PNP 外 形 图:TO-66 型 2N3583 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1Ptot WTa=25℃352IC A 13TjM ℃ 2004ICEOmAVCE=150V≤10 5IEBO…
发布:2009-09-09
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2N3375 型晶体管结构名称:NPN 外形图:B—4型 2N3375 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmW 11.62ICA 0.53TjM ℃ 2004ICEOμAVCE=30V≤1005BV CBOVI…
发布:2009-09-09
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2N6211型晶体管结构名称:PNP 外形图:TO-66型 2N6211 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1Ptot WTa=25℃352IC A 23TjM ℃ 1754ICEOmAVCE=150V≤55ICBOm…
发布:2009-09-09
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2N5415 型晶体管结构名称:PNP 外形图:B—4型 2N5415 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃12ICmA 13TjM ℃ 1754ICBOnAVCB=150V≤505BV C…
发布:2009-09-09
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2N3904 型晶体管结构名称:NPN 外形图:B—4型 2N3904 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃6252ICmA 2003TjM ℃ 1754BV CBOVICB=10μA≥405…
发布:2009-09-09
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2N2405 型晶体管结构名称:NPN 外形图:B—4型 2N2405 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃12ICmA 13TjM ℃ 1754ICBOnAVCB=90V≤105IEBOn…
发布:2009-09-09
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2N2905A 型晶体管结构名称:PNP 外形图:B—4型 2N2905A 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃6002ICmA 6003TjM ℃ 1754ICBOnAVCB=50V≤10…
发布:2009-09-09
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2N2222A 型晶体管结构名称:NPN 外形图:B-2型 2N2222A 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PtotmWTa=25℃5002ICmA 8003TjM ℃ 1754ICBOnAVCB=50V≤105…
发布:2009-09-09
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3DA191 型晶体管结构名称:NPN硅超高频大功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于74系列、80系列低压民用电台末级功放。 外形图:H-2E型 3DA191 型晶体管参数序…
发布:2009-08-29
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3DG44 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频小功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:接收机及无线电设备作高频放大,宽带放大和振荡。 外 形 图:B-2 型 3DG44 型晶…
发布:2009-08-29
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AT89C51RC2-SLSUM 带有32K系统内可编程Flash存储器PLCC-44封装Flash (Kbytes)32ISPUARTSelf Program MemoryAPIRAM (Bytes)1280F.max (MHz)60Vcc (V)2.7-5.5I/O Pins32UART1…
发布:2009-08-28
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AT89C51RD2-RDTUM 带有64K系统内可编程Flash存储器VQFP-64封装Flash (Kbytes) 64ISP UART Self Program Memor API RAM (Bytes) 2048F.max (MHz) 60Vcc (V) 2.7-5.5 I/O Pins 32UART 1 …
发布:2009-08-27
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