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![1ST033 型晶体管]()
1ST033 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面超高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图：Q-2D 型 1ST033 型晶体管参数序号…
发布：2009-09-14
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![3DA812 型晶体管]()
3DA812 型晶体管结构名称：NPN硅外延线性高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途： 单边带电台功率放大。 外形图：F-1C型 3DA812 型晶体管参数序号参数单位测试…
发布：2009-09-14
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![3DA805 型晶体管]()
3DA805 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面微波功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于微波通讯、放大、倍频。 外形图：Q-1型 3DA805 型晶体管参数序号参数单位测…
发布：2009-09-14
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![MRF422 型晶体管]()
MRF422 型晶体管结构名称：NPN型硅射频功率晶体管 外 形 图 ：Q-2E 型 MRF422 型晶体管参数序号参数单位测试条件规范值1PtotWTa=25℃2902ICA 203TjM ℃ 2004ICESmA…
发布：2009-09-14
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![MRF327 型晶体管]()
MRF327 型晶体管结构名称：NPN硅线性功率晶体管 主要用途：80W,100-500MHz 外 形 图 ：Q-2F 型 MRF327 型晶体管参数序号参数单位测试条件规 范 值1PCMWTC=25℃25…
发布：2009-09-14
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![1ST010 型晶体管]()
1ST010 型晶体管结构名称：NPN硅外延品平面线性功率晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图：B-4B 型 1ST010 型晶体管参数序号参数…
发布：2009-08-29
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![3DG352 型晶体管]()
3DG352 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面晶体管 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于民用电台及其它电子设备中作掁荡功率放大等。 外形图： B-4B 型 3DG352 型晶体管参数序…
发布：2009-08-29
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![3DA3866 型晶体管]()
3DA3866 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图： B-4A型 3DA3866 型晶体管参数…
发布：2009-08-29
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![3DA37 型晶体管]()
3DA37 型晶体管结构名称：NPN硅外延平面超高频三极管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途：用于超高频振荡、放大、电视差转机及其它电子设备中。 外 形 图：B—4型 3DA37 型晶…
发布：2009-08-29
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![3DA10 型晶体管]()
3DA10 型晶体管结构名称：NPN硅平面高频大功率晶体管。 等级标记：Ⅱ类 主要用途： 用于50～100MHz下输出3—5W短波功率放大器及其它电子设备。 外形图：F—1C型 3D…
发布：2009-08-29
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![AT91SAM7SE256-CU 32位ARM单片机LFBGA-144封装]()
AT91SAM7SE256-CU 32位ARM单片机LFBGA-144封装StatusProductionFlash (Bytes)256KSRAM (Bytes)32KImage Sensor Interface1RTC/RTT-/110-bit ADC Channels8Peripheral DMA Channels…
发布：2009-08-29
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![AT89C51RC2-3CSUM 带有32K系统内可编程Flash存储器PDIL-40封装]()
AT89C51RC2-3CSUM 带有32K系统内可编程Flash存储器PDIL-40封装Flash (Kbytes)32ISPUARTSelf Program MemoryAPIRAM (Bytes)1280F.max (MHz)60Vcc (V)2.7-5.5I/O Pins32UART11…
发布：2009-08-28
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![AT89C51RB2-RLTUM 带有16K系统内可编程Flash存储器VQFP-44封装]()
AT89C51RB2-RLTUM 带有16K系统内可编程Flash存储器VQFP-44封装Flash (Kbytes)16ISPUARTSelf Program MemoryAPIRAM (Bytes)1280F.max (MHz)60Vcc (V)2.7-5.5I/O Pins32UART1…
发布：2009-08-28
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![AT89C51RD2-SLSUM 带有64K系统内可编程Flash存储器PLCC-44封装]()
AT89C51RD2-SLSUM 带有64K系统内可编程Flash存储器PLCC-44封装Flash (Kbytes) 64ISP UART Self Program Memor API RAM (Bytes) 2048F.max (MHz) 60Vcc (V) 2.7-5.5 I/O Pins 32UART 1 1…
发布：2009-08-27
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![AT89C51AC3-S3SUM 带有64K系统内可编程FLash存储器PLCC-52封装]()
AT89C51AC3-S3SUM 带有64K系统内可编程FLash存储器PLCC-52封装Flash (Kbytes) 64ISP UART Self Program Memor API EEPROM (Kbytes) 2 RAM (Bytes) 2304F.max (MHz) 60Vcc (V) 3-5.5 …
发布：2009-08-27
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