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深圳中意电子有限公司是Fairchild、最专业的供应商,主要致力于仙童全线电子元件的推广, 产品广泛应用于数字电视,汽车电子,电脑及周边产品,通讯设备等各个行业。主要经营:MOS管、电源IC、IGBT单管、IGBT模块,SPM模块等等全线无铅产品.作为飞兆半…  更多>>
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仙童代理

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电话:13925261483

传真:Fsc0755@126.com

公司网址:http://www.fairchildsemi.com

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  • 王力 在2014/12/15 17:53:00留言
  • 留言类型:贵公司产品销售人员联系我,
  • 详细留言:我已经购买了贵公司的ARK-2120无风扇嵌入式工控机,除了你家我还看了: E+H:http://www.endress-h.com pilz:http://www.pilz-zh.com 邦纳:http://www.banner-cn.com 穆格:http://www.moog-cn.com 穆格伺服阀:http://www.moog-cn.com 哈威:http://www.hawe-zh.com 力士乐:http://www.rexroth-zh.com 请问这些是正规的吗?可以开发票吗?
  • 潘工 在2012/8/15 17:22:00留言
  • 留言类型:得到贵公司产品详细资料,得到贵公司产品的价格信息,贵公司产品销售人员联系我,贵公司技术支持人员联系我,
  • 详细留言:FAN9612
  • 在2012/6/29 8:32:00留言
  • 留言类型:贵公司产品销售人员联系我,
  • 详细留言:MOS 管
  • 刘竞远 在2012/4/20 16:15:00留言
  • 留言类型:我想得到贵公司产品详细资料,
  • 详细留言:Fairchild SPM - FSBS
  • 曹丽琴 在2011/11/22 11:08:00留言
  • 留言类型:我想得到贵公司产品详细资料,我想得到贵公司产品的价格信息,我让贵公司产品销售人员联系我,
  • 详细留言:如果是仙童代理,请联系我、我司是生产汽车功放厂家
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仙童代理
  • fairchild智能功率模块(SPM)  
  • 发布时间:2009/5/4 1:03:08   修改时间:2009/5/4 1:03:08 浏览次数:1854
  • V/I和I/V转换另一个优点是允许负VS电压不再受电路阈值电压支配。由于其独特拓扑,飞兆半导体HVIC展示了出色噪声免疫能力,能够耐受高达50V/ns高dv/dt噪声,并且扩展负电压运作范围,在VBS=15V左右达到VS=-10V。

    LVIC负责所有保护功能及其向微控制器反馈。它保护电路检测控制电源电压、LVIC温度以及带外部并联电阻IGBT集电极电流,并在错误状态中断IGBT操作。有关保护应该不受温度和电源电压影响。例如在表1中给出了LVIC中过电流保护探测电平。


    表1. LVIC (典型值0.5V) 过电流探测电平

    错误信号用于通知系统控制器保护功能是否已经激活。错误信号输出是在低电平有效集电极开路配置。它一般通过上拉电阻被拉升至3.3V到15V。当错误发生时,错误线拉低,低边IGBT所有栅极被中断。如果错误是过电流引起,输出则出现一个脉冲,然后自动复位。首选低信号持续时间取决于它应用。例如,对于家电首选几毫秒,但是在工业应用中首选一至两倍IGBT开关频率。SPMLVIC提供外部电容,并根据各种要求设定该持续时间。

    自举二极管

    除了基本三相逆变器拓扑,更多集成是半导体公司面临挑战之一。约束不是技术问题,受限是成本和封装尺寸。从这一点来看,自举二极管似乎成为集成合适器件。实际上,市场上已出现了数种内置自举二极管产品,但是从技术角度来看,其方式略有不同。其中之一是使用HVIC上高压结终止区域作为自举二极管。其应用局限于额定值在100W以下低功率应用,因为这种方式具有较大正向压降和较差动态特性。功率在400W左右时,采用分立FRD作为自举二极管,但是由于其封装尺寸有限,没有串联电阻(RBS),因此需要对大充电流进行特殊处理,尤其在初始充电期间。在高于400W应用中,最常见应用是将分立FRD和分立电阻进行组合。这种方式唯一缺点是占用空间较大和相应成本增高。

    在SPM开发中,采用了新设计自举二极管,其设计目标是减小芯片尺寸和获得适中正向压降,以得到20Ω串联电阻等效作用。如图4所示,其压降特性等同于串联电阻和普通FRD。借助于这种特殊自举二极管优点,能够实现更多集成同时保持最低成本。



    图4. 内置自举二极管正向压降

    封装

    开发SPM封装主要因素是改善性价比,同时提升热循环和功率循环等封装可靠性。因此,以往用于IC和LSI产品转模封装技术被用于功率模块。与具有塑料或环氧树脂外壳普通功率模块相比,SPM具有相对简单结构:功率芯片和IC安装在铜引线框架上,基底材料与框架连接,最后在环氧树脂中模塑成型。

    在封装设计中散热是重要问题,因为它决定了模块功率容量限制,且与隔离特性有着很大折衷平衡关系。转模封装SPM系列根据功率额定值和应用,采用几种隔离基底,如表2所示。


    表2. SPM系列封装基底

    借助现有可变形基底优点,可在Mini-DIP SPM封装中实现600V 3A到30A功率额定值,同时保持PCB管脚布局和价格竞争力,如图5所示。

    图5. 不同电流额定值下SPM产品系列结和外壳之间热阻

    除了更高可靠性和热性能之外,制定模式灵活性是DBC(直接相连铜)基底另一个优点。这样可以针对多种应用提供派生产品,比如功率因数校正、开关磁阻电机等,在此只需改变DBC,而其它封装要素保持不变。

    DBC大批量生产还存在几个有待解决技术问题,采用丝网印刷、多芯片安装技术以及传送带回流焊和助焊剂清理工艺,开发DBC基底和引线框架多芯片安装和连接技术。通过回流焊温度曲线调整,获得接近零焊接空洞,增加熔解区域之间温度斜坡,优化焊料和丝网印刷掩模设计。通过模拟和实验方法,调适封装热翘曲以优化DBC基底铜层厚度。

    结论

    受到成本因素约束,SPM设计所需综合技术包括功率器件、驱动器IC、封装以及系统优化。对于实际批量生产,组装和测试也是非常重要。目前,SPM已将自身定位于最强大低功率电机驱动逆变器解决方案,而其发展将会越来越快。


     

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