四位半显示读数；八量程自动或手动测试；
本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.
国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。
GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
整机测量最大相对误差：≤±3%；整机测量标准不确定度：≤±3%
基本设置操作简单，方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果；多种参数同时显示。
GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
本标准适用于测量直径大于15.9mm的由外延、扩散、离子注人到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10A~5000n.该方法也可适用于更高或更低照值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法提要
便于查看的显示/直观的操作性：高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示；操作易学，直观使用；
提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求
GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
下列文件中的条款通过本标准的引用商成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T 1552 硅、储单晶电阻率测定 直排四探针法
正反向电流源修正测量电阻误差
恒流源：电流量程分为： 1uA、10uA、100uA、1mA、10mA 、100mA六档；仪器配有恒流源开关可有效保护被测件，即先让探针头压触在被测材料上，后开恒流源开关，避免接触瞬间打火。为了提高工作效率，如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时，恒流源开关可一直处于开的状态。
在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。
可配合多种探头进行测试；也可配合多种测试台进行测试。
测量范围宽： 电阻：10-4Ω－10-5Ω ；方阻：10-4Ω/□－105Ω/□；
精度高：电阻基本准确度： 0.05％；方阻基本准确度：3%；电阻率基本准确度：3%
本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。
范围本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
