通过改变传统的P槽设计,增加栅氧化层厚度,获得更优异的性能,更少的栅极充电电荷,更小的导通电阻,更大的耗散功率,更快的内置反向二极管!
P沟道MOSFET
FAIRCHILD全新“B-系列” 及"A-系列"增强型MOSFET
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