FGH30N60LSD为太阳能逆变器、焊机和不间断电源提供超低传导损耗

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 全新的600V/30A IGBT – FGH30N60LSD能够满足低频 (50~400Hz) 工业应用 (如太阳能逆变器、焊机和不间断电源 (UPS) 等) 对低传导损耗的需要。该器件具有超低的饱和电压 (V_CE(sat)，典型值 = 1.1 V)，并经专门设计以提高系统效率及同时满足低频要求。对于同时使用低频开关和高转换频率开关的工业应用，如太阳能逆变器，如要进一步提高能效，可将这款IGBT与飞兆半导体先进的MOSFET FCH47N60F (SuperFET™ FRFET®)共用，相辅相成，因为先进的MOSFET能提供高达250 kHz的工作频率和极低的导通阻抗 (R_DS(on)，典型值= 0.062 Ohm)。

飞兆半导体高压功能性功率解决方案总监Donghye Cho表示：“能效是当前工业应用 (如太阳能逆变器、焊机和UPS等) 关注的主要问题之一。我们为此量身度做的新型IGBT能够实现极低的传导损耗，而且，将该产品与我们提供的SuperFET MOSFET共用，可获得高开关频率和低导通阻抗，飞兆半导体证实了能够应对复杂的设计挑战。”

FGH30N60LSD是MOS栅极高压开关器件，结合了MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。该器件集成了一个快速恢复二极管 (FRD)，可协助设计人员减少元件数目，同时进一步确保系统可靠性。飞兆半导体的SuperFET FRFET结合了SuperFET技术的独特寿命限制工艺 (lifetime killing process)，能够改进体二极管的特性，从而可工作在高开关频率、极低的导通阻抗，提高关断dv/dt抗扰性及降低其EMI。所有这些功能都能提升系统的效率和可靠性。

飞兆半导体的FGH30N60LSD采用无铅 (Pb-free) 引脚，潮湿敏感度符合IPC/JEDEC标准J-STD-020对无铅回流焊的要求，所有飞兆半导体产品设计均符合欧盟的有害物质限用指令 (RoHS)。