“助攻”电源设计：900V SiC MOSFET导通电阻创新低！

发布时间：2016-01-04 来源：世强

　　全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
　　世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围，能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战，更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下，C3M0065090J拥有目前市面上最低的65mΩ的额定导通电阻；当温度高至150°C时，也可保证导通电阻只有90mΩ，这能有效降低功率损耗，并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制，有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。

　　图： CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090J

　　C3M0065090J不仅提高了系统效率，还增加了功率密度以及开关频率，能够提供优化的+ 15 v / 5 v门极驱动和+/- 36 v连续漏电流。配备131数控C3M0065090D通孔模型和134数控C3M0065090J表面装配模型的快速二极管，所以反向恢复时间短。此外，该产品采用业界标准TO247-3/TO220-3封装，还能提供开尔文连接的低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装，从而减小了栅极振荡。欢迎拨打世强服务热线电话 40088-73266咨询订购。
　　C3M0065090J的特点与优势：
　　● 采用SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，n沟道增强型
　　● 高阻断电压，较低的导通电阻65mΩ（25°C），90mΩ（150°C）
　　● 较低的高速开关功放
　　● 新的低阻抗包和驱动源o 　具用快速内在二极管，反向恢复电流较低(Qrr)
　　● 工作温度：-55 °C 至 +150 °Co 　封装：标准TO247-3/TO220-3，及低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装
　　● 无卤,通过无铅认证
　　C3M0065090J的应用：
　　● 可再生能源
　　● 电动汽车电池充电器
　　● 高压直流/直流转换器
　　● 开关模式电源
　　● 太阳能逆变器