在“双碳”战略目标驱动下，功率半导体正成为高能效家电与新能源汽车发展的核心引擎。2025年9月，三菱电机将携最新一代功率半导体产品亮相 PCIM Asia 2025（上海），全面展示其在SiC MSFET、IGBT等前沿器件上的创新成果，并于 9月24日举办三菱电机半导体媒体见面会，与行业共同探讨功率半导体技术如何助力绿色未来。

　　本届PCIM展会上，三菱电机将重点展出三大明星产品：

　　作为三菱电机首款面向家电应用的SiC SLIMDIP模块，该系列包括 全SiC DIPIPM与混合SiC DIPIPM两类创新设计：

　　全SiC SLIMDIP

　　内置专为SLIMDIP封装优化的SiC-MSFET芯片，能够在家电应用中显著提升输出功率与能效。该方案有效降低功率损耗，为空调等家电提供高效解决方案。

　　混合SiC SLIMDIP

　　通过同一IC驱动并联的SiC MSFET（低电流下具备低导通电压特性）和Si RC-IGBT（高电流下保持优异导通特性），实现低功率损耗与稳定性能兼顾。

　　这一创新架构，使家电厂商在追求节能的同时，也能保持高可靠性与成本竞争力。

　　该系列产品为家电节能升级注入全新动力，进一步推动家庭用能与社会能源的绿色转型。

　　第8代IGBT 模块

　　三菱电机全新推出的第8代IGBT模块，重点突破在于更高功率密度、更低损耗、更优散热：

　　技术创新

　　采用分段式沟槽栅结构，降低导通损耗；

　　芯片背面等离子体层结构减少厚度，进一步优化开关特性；

　　扩大芯片面积，有效降低结壳热阻。

　　性能提升

　　第8代LV100封装产品：由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A；

　　第8代NX封装规划开发5款不同规格产品，包括 1000A/1200V半桥、800~1000A/1200V Split-NPC（半桥+钳位二极管） 等。

　　凭借更强的电流承载力与热管理能力，第8代IGBT模块可充分适配高功率场景下的性能需求，将广泛应用于新能源发电、轨道交通、工业电机驱动等高功率场景，为用户提供更高效可靠的解决方案。

　　面向电动汽车的 J3 系列 SiC-MSFET 功率半导体模块

　　随着电动汽车对高功率密度与高可靠性需求的提升，三菱电机重磅推出 J3系列SiC-MSFET功率半导体模块，包括：

　　J3-T-PM半桥模块

　　采用紧凑的第3代T-PM封装，具备高散热能力与低热阻特性；

　　内置高可靠性SiC-MSFET芯片，独特沟槽栅设计可抑制Vth漂移与损耗退化；

　　适配逆变器小型化需求，并可多模块并联，扩展功率范围。

　　J3-HEXA 全桥模块

　　可覆盖电动车不同容量等级的逆变器应用；

　　支持高功率电驱系统，满足电动车高速运行下电驱系统的稳定性需求。

　　J3继电器模块

　　基于J3-T-PM紧凑型封装和沟槽栅SiC MSFET的超低损耗，专为电池断路单元及切换/断开回路设计；

　　提供双向与单向开关两种结构，内置快速短路保护，实现电动车电控系统的高安全性。

　　J3系列凭借高能量密度与高扩展性，为新能源汽车的轻量化、小型化与高性能提供坚实支撑。