单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟

发布时间：2009-05-14 作者：姚娉，闫卫平，马灵芝，杜立群，郭吉洪

　　硅各向异性腐蚀技术是MEMS 加工的核心工艺之一。硅的各向异性腐蚀，是指硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率MEMS。基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样复杂的三维微结构。如果能精确的对各向异性腐蚀的结果进行计算机模拟，那么对于MEMS计算机辅助设计系统的建立和MEMS工艺水平的提高，都有重要的意义.
　　在硅的各向异性腐蚀中，各晶面的腐蚀速率有很大差异，与晶向、腐蚀液浓度、温度、掩模形状等因素有很大关系。如何对不可预料的腐蚀结果进行计算机模拟，是令众多研究者深感兴趣的问题。目前国内外已有几种取得较好模拟结果的硅各向异性腐蚀模拟软件