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1ST010 型晶体管结构名称:NPN硅外延品平面线性功率晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图:B-4B 型 1ST010 型晶体管参数序号参数…
发布:2009-08-29
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1ST009 型晶体管结构名称:NPN硅外延品平面线性功率晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外形图:TO-92型 1ST009 型晶体管参数序号参…
发布:2009-08-29
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3DG352 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于民用电台及其它电子设备中作掁荡功率放大等。 外形图: B-4B 型 3DG352 型晶体管参数序…
发布:2009-08-29
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3DG351 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面晶体管 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于民用电台及其它电子设备中作掁益信频、功率放大。 外形图: TO-92 型 3DG351 型晶体管参…
发布:2009-08-29
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3DA47AL 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面微波大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图:H—2C型 3DA47AL 型晶体管…
发布:2009-08-29
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3DA56C 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频功率放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图:H-2E型 3DA56C 型晶体…
发布:2009-08-29
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3DA831A,3DA831B 型晶体管结构名称:多晶发射区结构带有发射极镇流电阻,内匹配电容,NPN硅平面外延超高频功率晶体管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:适用于雷达发射…
发布:2009-08-29
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3DA22C 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于超高频功率放大、振荡及其它电子设备中。 外 形 图:G-1A型 3DA22C 型晶…
发布:2009-08-29
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3DA3866 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频大功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于电子设备中作功率放大、振荡。 外 形 图: B-4A型 3DA3866 型晶体管参数…
发布:2009-08-29
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3DG82 型晶体管结构名称:NPN硅外延平面超高频中功率三极管。 等级标记:Ⅱ类 主要用途:用于微波中继通讯及其它电子设备中作中放、倍频和振荡混频等。 外 形 图:B—…
发布:2009-08-29
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识别控制器IDENT Control是倍加福新一代识别技术的突出代表。任何系列的识别系统均可同时与识别控制相连,从微波式2.45 GHz IDENT M System V 系统到电感式125 KHz I…
发布:2009-07-07
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Features IntelCore?2 Duo T7500 2.2 GHz processor for ultimate computing power On-board 4 GB 667 MHz DDR2 memory Integrated 160 GB 7200 RPM SATA hard drive Dual Gigabit Et…
发布:2009-07-02
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4通道16位10/20/40MS/s数字化仪,带512MB SDRAM Features 16-bit high resolution A/D converter Up to 10MS/s, 20MS/s and 40MS/s per channel 512MB on-board memory for data stora…
发布:2009-07-02
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Features Supports a 32-bit 3.3V or 5V PCI bus Low-profile PCI MD1 form factor Fully compatible with IEEE 488 standard Up to 1.5MB/s data transfer rates Built-in 2 KB FIFO for read…
发布:2009-07-02
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特性: 使用SIEMENS STEP7 编程,指令集兼容 MPI接口用于连接PU和OP,无需MPI适配器 外部存储器MMC卡,最高256M 集成标准RS232/RS485接口
发布:2009-06-20
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